三星SDI敲定匈牙利第三工廠計(jì)劃

據(jù) TheElec，三星 SDI 已最終敲定了在匈牙利建造第三座電池工廠的投資計(jì)劃。三星 SDI 正在擴(kuò)建現(xiàn)有的匈牙利第二工廠，預(yù)計(jì)將在 9 月竣工。 消息人士稱，該公司預(yù)計(jì)今年將在整體設(shè)施擴(kuò)建上花費(fèi)超過(guò) 6 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 324 億元人民幣），其中超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 54 億元人民幣）將用于建設(shè)第三工廠。據(jù)稱，三星 SDI 還將從菲律賓招募工人到匈牙利工作。

發(fā)表于：3/4/2024

多通道優(yōu)先級(jí)放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

　　圖1所示的模擬優(yōu)先級(jí)放大器最初是作為多輸出電源的一部分進(jìn)行設(shè)計(jì)，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級(jí)通道的電壓。該放大器的另一個(gè)應(yīng)用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對(duì)多個(gè)輸入命令中優(yōu)先級(jí)最高的一個(gè)作出響應(yīng)。

發(fā)表于：3/1/2024

貿(mào)澤聯(lián)手Würth Elektronik推出全新電子書

　　2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 與Würth Elektronik聯(lián)手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對(duì)物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 技術(shù)與設(shè)備相關(guān)應(yīng)用的討論。

發(fā)表于：2/29/2024

全球首款“彈性”rSIM助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線”

助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實(shí)現(xiàn)？ 全球首款可自動(dòng)切換網(wǎng)絡(luò)的“彈性”rSIM問(wèn)世！再也不怕物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備掉線！

發(fā)表于：2/29/2024

消息稱三星背面供電芯片測(cè)試結(jié)果良好

據(jù)韓媒 Chosunbiz 報(bào)道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測(cè)試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)。 傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來(lái)越混亂，對(duì)設(shè)計(jì)與制造形成干擾。 BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對(duì)信號(hào)的干擾，最終可降低平臺(tái)整體電壓與功耗。對(duì)于三星而言，還特別有助于移動(dòng)端 SoC 的小型化。

發(fā)表于：2/29/2024

美光推出緊湊封裝型UFS 4.0

美光宣布開(kāi)始送樣增強(qiáng)版通用閃存（UFS） 4.0 移動(dòng)解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。 新款內(nèi)存基于先進(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù)， 美光 UFS 4.0 解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗(yàn)。

發(fā)表于：2/29/2024

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

發(fā)表于：2/28/2024

TI裁掉低端電源芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)

據(jù)“芯視點(diǎn)”可靠消息，TI于最近裁掉了其其位于北京的一個(gè)芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。據(jù)了解，TI這個(gè)北京團(tuán)隊(duì)主要負(fù)責(zé)較為低端的電源芯片研發(fā)，團(tuán)隊(duì)人數(shù)約為50人左右。 知情人士表示，TI這個(gè)裁員一方面可能受到整個(gè)消費(fèi)端市場(chǎng)需求不振的影響；另一方面，國(guó)內(nèi)包括電源芯片在內(nèi)的內(nèi)卷，也推動(dòng)TI做出了這樣的決定；此外，當(dāng)前中美關(guān)系的影響，讓TI最終走上了這樣一條道路。

發(fā)表于：2/28/2024

三星開(kāi)發(fā)業(yè)界首款36GB HBM3E存儲(chǔ)芯片

三星2月27日宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲(chǔ)芯片，這也是迄今為止容量最高的HBM產(chǎn)品，達(dá)36GB，帶寬高達(dá)1280GB/s。與8層堆疊HBM3產(chǎn)品相比，這款新品在容量、帶寬方面都提高了50%以上，可顯著提高人工智能（AI）訓(xùn)練、推理速度。

發(fā)表于：2/28/2024

美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機(jī)存儲(chǔ)芯片

美光發(fā)布最小尺寸 UFS 4.0 手機(jī)存儲(chǔ)芯片：容量最高 1TB，為電池留出空間 美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機(jī)存儲(chǔ)解決方案。 該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序?qū)懭胨俣取?/a>