頭條 東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 安謀科技攜前沿成果亮相ICCAD 2024 國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游的領(lǐng)軍企業(yè)安謀科技今年再度受邀出席，攜旗下一系列前沿技術(shù)方案及合作成果精彩亮相，并在高峰論壇和“IP與IC設(shè)計(jì)服務(wù)專題論壇(II)”上發(fā)表主題演講，與眾多產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)代表、專家學(xué)者展開深入交流，共話半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“芯”圖景。 發(fā)表于：12/17/2024 高速密碼處理器，為什么海光的CPU更有優(yōu)勢？ 近年，隨著密碼相關(guān)的法律法規(guī)不斷落地，政策的導(dǎo)向日益清晰，加之網(wǎng)絡(luò)帶寬的升級，5G通信和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的流行，當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)加密流量場景越來越多，同時(shí)對密碼性能需求也逐漸增多。 發(fā)表于：12/17/2024 消息稱英偉達(dá)車載AI Thor芯片量產(chǎn)大幅推遲 12 月 16 日消息，英偉達(dá)旗艦車載 AI芯片 Thor 的連續(xù)推遲正在加大丟失核心客戶的風(fēng)險(xiǎn)。 Thor 原本計(jì)劃 2024 年中量產(chǎn)，現(xiàn)已大幅推遲，“預(yù)計(jì)明年中上車，且還是入門版”。該媒體援引多方信源消息稱，其推遲影響著一些國內(nèi)車企的新車產(chǎn)品決策。 發(fā)表于：12/17/2024 Arm與高通訴訟進(jìn)入關(guān)鍵階段 12 月 17 日消息，英國芯片設(shè)計(jì)巨頭 Arm 與美國芯片廠商高通的訴訟周一在美國特拉華州聯(lián)邦法院進(jìn)入關(guān)鍵階段，Arm 首席執(zhí)行官雷內(nèi)?哈斯（Rene Haas）在庭審中試圖淡化外界關(guān)于 Arm 計(jì)劃轉(zhuǎn)型為芯片供應(yīng)商的猜測，同時(shí)重申其訴訟的核心目的 —— 捍衛(wèi)知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)模式。 發(fā)表于：12/17/2024 英偉達(dá)GB300和B300 AI服務(wù)器供應(yīng)鏈遇挑戰(zhàn) 12 月 17 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤今天（12 月 17 日）發(fā)布投資研究報(bào)告，表示英偉達(dá)正為 GB300 和 B300 開發(fā)測試 DrMOS 技術(shù)，發(fā)現(xiàn) AOS 的 5x5 DrMOS 芯片存在嚴(yán)重過熱問題。這一問題可能影響系統(tǒng)量產(chǎn)進(jìn)度，并改變市場對 AOS 訂單的預(yù)期。 發(fā)表于：12/17/2024 BOS半導(dǎo)體推出全球首款汽車AI加速器芯粒SoC BOS半導(dǎo)體推出全球首款汽車AI加速器芯粒SoC，搭載Tenstorrent IP 發(fā)表于：12/17/2024 2025年的汽車行業(yè)五大發(fā)展趨勢分析 隨著2024年逐漸邁向尾聲，許多行業(yè)的動蕩與變革正悄然積蓄力量，等待在2025年爆發(fā)。電動汽車需求的持續(xù)上升、二級車輛自動化的普及、以及中國在汽車電子架構(gòu)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，都將成為推動未來幾年市場的關(guān)鍵動力。然而，這些變革背后，汽車產(chǎn)業(yè)面臨著怎樣的挑戰(zhàn)與機(jī)遇？供應(yīng)鏈的波動、半導(dǎo)體的短缺，又如何影響行業(yè)的未來發(fā)展？ 發(fā)表于：12/17/2024 2024年度中國企業(yè)專利排行榜發(fā)布 12月16日消息，廣東中策知識產(chǎn)權(quán)研究院發(fā)布《2024中策-中國企業(yè)專利創(chuàng)新百強(qiáng)榜》，榜單顯示，華為位列榜單第一。 從中國企業(yè)專利創(chuàng)新百強(qiáng)榜TOP 10可以看到，華為、國家電網(wǎng)和騰訊位列前三名，而OPPO、京東方、百度、格力、重心，中國石油分列4-10名。 中國發(fā)明專利申請量TOP 10中顯示，國家電網(wǎng)、華為、騰訊、OPPO和京東方分列前五名。 發(fā)表于：12/17/2024 基于UVM的時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)交換芯片的驗(yàn)證架構(gòu)設(shè)計(jì) 基于UVM驗(yàn)證方法學(xué)、自動化比對和覆蓋率驅(qū)動的驗(yàn)證思想，構(gòu)建了一個(gè)用于時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）交換芯片的系統(tǒng)驗(yàn)證架構(gòu)。該架構(gòu)采用分類和流水處理數(shù)據(jù)報(bào)文方法，結(jié)合流量檢測、時(shí)間槽檢測和數(shù)據(jù)報(bào)文自動化比對方案，成功支撐TSN業(yè)務(wù)系統(tǒng)驗(yàn)證方法落地，保證了系統(tǒng)驗(yàn)證完備性。芯片回片經(jīng)測試滿足商用需求，再次論證了驗(yàn)證架構(gòu)的完備性。 發(fā)表于：12/16/2024 DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）因其高存儲密度和成本效益，在現(xiàn)代大規(guī)模計(jì)算機(jī)和超高速通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要介紹動態(tài)DRAM的發(fā)展歷程、關(guān)鍵技術(shù)、國內(nèi)外研究進(jìn)展以及未來發(fā)展方向。首先，介紹了DRAM的分類、基本單元結(jié)構(gòu)、工作原理。其次，詳細(xì)介紹了DDR SDRAM的關(guān)鍵性能指標(biāo)以及專用DRAM的發(fā)展。然后，介紹了提高DRAM訪問速度、容量與密度的創(chuàng)新DRAM架構(gòu)和技術(shù)，以及無電容存儲單元結(jié)構(gòu)、3D堆疊DRAM技術(shù)以及Rowhammer安全問題及其防御機(jī)制。最后，展望了DRAM技術(shù)的未來發(fā)展方向，闡述了為了應(yīng)對日益增長的高速、低功耗和高可靠性的存儲需求，對現(xiàn)有DRAM技術(shù)的進(jìn)行深入研究和創(chuàng)新的重要性。 發(fā)表于：12/16/2024 ?…71727374757677787980…?
