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數(shù)據(jù)質(zhì)量高效校驗(yàn)方法研究

數(shù)據(jù)質(zhì)量監(jiān)控是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的重要挑戰(zhàn)。提出了一種創(chuàng)新方法，通過(guò)規(guī)則配置高效生成數(shù)據(jù)質(zhì)量驗(yàn)證規(guī)則與告警策略，并在單一SQL查詢(xún)中實(shí)現(xiàn)多指標(biāo)并發(fā)校驗(yàn)，顯著提升了校驗(yàn)效率。詳細(xì)闡述了技術(shù)方案設(shè)計(jì)原理并做了性能對(duì)比實(shí)驗(yàn)：數(shù)據(jù)處理速度提升10~20倍,規(guī)則配置效率提升4~5倍，實(shí)際應(yīng)用中的資源消耗指標(biāo)(CPU、內(nèi)存）與傳統(tǒng)解決方案基本一致，準(zhǔn)確率仍保持在99.99%，為大數(shù)據(jù)環(huán)境下的數(shù)據(jù)質(zhì)量管理提供了可量化的參考實(shí)踐。

發(fā)表于：10/29/2025

Pickering公司新型靜電屏蔽技術(shù)有效抑制噪聲干擾

高性能舌簧繼電器全球領(lǐng)導(dǎo)者Pickering Electronics升級(jí)了其144系列大功率舌簧繼電器，新增配備靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的衍生型號(hào)。該系列產(chǎn)品額定功率高達(dá) 80w，以0.25英寸間距可緊密排布。

發(fā)表于：10/29/2025

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計(jì)

2025年10月21日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線(xiàn)電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)

發(fā)表于：10/29/2025

全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶量產(chǎn)化制備

據(jù)“科創(chuàng)江北”消息，2025年10月23日，江北新區(qū)企業(yè)南京極鉬芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“極鉬芯科技”）與南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在《Science》期刊共同發(fā)表重要研究成果。極鉬芯科技深度參與工藝開(kāi)發(fā)與設(shè)備研制，為研究團(tuán)隊(duì)提供了自主研制的二維半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備Oxy-MOCVD 200 ultra，成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶系列的量產(chǎn)化制備。該設(shè)備的全面國(guó)產(chǎn)化與自主可控性，標(biāo)志著我國(guó)在下一代集成電路關(guān)鍵材料與裝備領(lǐng)域取得重要突破。極鉬芯科技同步推出多款二維半導(dǎo)體單晶晶圓與單晶襯底產(chǎn)品，為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供高質(zhì)量材料解決方案。

發(fā)表于：10/29/2025

傳臺(tái)積電先進(jìn)制程功臣將退休加盟英特爾

10月28日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，有傳聞稱(chēng)，今年7月底才退休的臺(tái)積電前技術(shù)研發(fā)暨企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁可能將會(huì)加盟英特爾研發(fā)部門(mén)。

發(fā)表于：10/29/2025

VESA發(fā)布DisplayPort汽車(chē)擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)測(cè)試規(guī)范模型

VESA重點(diǎn)介紹了其于2025年5月發(fā)布的DP AE合規(guī)測(cè)試規(guī)范模型。這一完全可執(zhí)行的Linux C模型包含500多項(xiàng)功能安全與信息安全合規(guī)測(cè)試，使芯片制造商能夠基于VESA DP AE標(biāo)準(zhǔn)，構(gòu)建和測(cè)試用于汽車(chē)顯示器的視頻源（電子控制單元/ECU）、橋接器件（如串行器/解串器）和接收設(shè)備（如時(shí)序控制器）。

發(fā)表于：10/29/2025

消息稱(chēng)蘋(píng)果缺席臺(tái)積電A16工藝首單

10 月 29 日消息，韓國(guó)媒體 EBN News 昨日（10 月 28 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)英偉達(dá)已成為臺(tái)積電下一代 A16工藝的目前唯一客戶(hù)，雙方正就此展開(kāi)聯(lián)合測(cè)試，該工藝預(yù)估 2027 年部署。與此同時(shí)，消息還指出，作為臺(tái)積電長(zhǎng)期大客戶(hù)的蘋(píng)果公司，尚未就其移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）采用 A16 工藝一事展開(kāi)洽談。 IT之家援引博文介紹，根據(jù)英偉達(dá)公布的 GPU 路線(xiàn)圖，其產(chǎn)品演進(jìn)順序?yàn)?Hopper、Blackwell、Rubin，最終到達(dá) Feynman。其中，計(jì)劃于 2028 年推出的 Feynman 架構(gòu) GPU，預(yù)計(jì)將全面采用臺(tái)積電的 A16 工藝制造。

發(fā)表于：10/29/2025

NVIDIA IGX Thor處理器將實(shí)時(shí)物理AI引入工業(yè)和醫(yī)療邊緣場(chǎng)景

NVIDIA 今日推出了 NVIDIA IGX Thor，這是一個(gè)功能強(qiáng)大的工業(yè)級(jí)平臺(tái)，專(zhuān)為將實(shí)時(shí)物理AI直接部署于邊緣端而打造。該平臺(tái)將高速傳感器處理、企業(yè)級(jí)可靠性和功能安全性整合到桌面級(jí)緊湊模組中。相較于上一代產(chǎn)品 NVIDIA IGX Orin，IGX Thor 的 AI計(jì)算性能提升至 8 倍，能夠幫助開(kāi)發(fā)者構(gòu)建感知、推理和行動(dòng)更快速、更安全、更智能的智能系統(tǒng)。

發(fā)表于：10/29/2025

MEMS熱式氣體流量傳感器設(shè)計(jì)

在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中提供準(zhǔn)確的流量檢測(cè)信息對(duì)于系統(tǒng)性能的提升有著重要的作用，基于MEMS技術(shù)制造出的熱式流量傳感器通過(guò)采集溫差變化來(lái)反映管道內(nèi)流量變化，具有體積小、精度高、微流量段靈敏的特點(diǎn)。介紹了熱式流量傳感器的熱分布模型，利用COMSOL Multiphysics軟件對(duì)管道內(nèi)的流量傳感器進(jìn)行電場(chǎng)、流場(chǎng)和熱場(chǎng)的耦合仿真，確定傳感器芯片的關(guān)鍵參數(shù)。采用MEMS加工工藝制造流量傳感器芯片，搭建標(biāo)定測(cè)試平臺(tái)，對(duì)傳感器芯片進(jìn)行封裝測(cè)試。傳感器測(cè)量范圍達(dá)到300 SLM，數(shù)字輸出準(zhǔn)確度等級(jí)達(dá)到1.0，模擬輸出準(zhǔn)確度等級(jí)達(dá)到1.5。

發(fā)表于：10/28/2025

等離子鍍膜用射頻電源功率計(jì)算與控制系統(tǒng)研究

當(dāng)前的等離子磁控濺射鍍膜領(lǐng)域廣泛使用的射頻電源存在功率控制精度不足，功率可調(diào)范圍有限，以及因功率計(jì)算不準(zhǔn)確導(dǎo)致輸出功率波動(dòng)較大和誤差顯著等問(wèn)題。為此，基于數(shù)字下變頻技術(shù)生成射頻信號(hào)源，提出了一種等離子體鍍膜用射頻電源功率計(jì)算與控制系統(tǒng)，通過(guò)VI Sensor上耦合的傳輸線(xiàn)上的信息直接計(jì)算出射頻電源的輸出功率，并利用控制器調(diào)節(jié)信號(hào)源幅值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出功率的精確調(diào)節(jié)。仿真驗(yàn)證該方法能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準(zhǔn)確的功率計(jì)算及高精度的功率調(diào)節(jié)。通過(guò)實(shí)際樣機(jī)測(cè)試，該方案被證實(shí)能夠顯著降低輸出功率誤差，并提高鍍膜樣品上的成膜質(zhì)量，為等離子磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。

發(fā)表于：10/28/2025

基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊設(shè)計(jì)

上下變頻模塊是微波電路中的關(guān)鍵部分，其性能的好壞將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。設(shè)計(jì)了一種基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊。通過(guò)對(duì)整機(jī)主要指標(biāo)的分析與計(jì)算，下變頻采用一次變頻方案，上變頻采用兩次變頻方案。在滿(mǎn)足鏡頻抑制度要求的情況下，利用一個(gè)固定本振頻率進(jìn)行多次變頻的方式，使上變頻具有較高的本振隔離度。測(cè)試結(jié)果表明，下變頻的鏡頻抑制度為29 dBc，發(fā)射端口的本振抑制度為71 dBc。模塊指標(biāo)符合性較好，滿(mǎn)足使用要求，對(duì)研制該類(lèi)型的上下變頻組件具有一定的參考價(jià)值。

發(fā)表于：10/28/2025

一種能夠混合噪聲的模擬高頻腔的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

同步輻射加速器高頻系統(tǒng)的集成與調(diào)試離不開(kāi)高頻腔，但其造價(jià)昂貴，加工周期長(zhǎng)，使用實(shí)際高頻腔測(cè)試低電平控制器（LLRF）有損壞腔體的風(fēng)險(xiǎn)；此外，實(shí)際高頻腔的中心頻率是固定的，只能測(cè)試工作在對(duì)應(yīng)頻率的低電平控制器。為了解決上述問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種中心頻率能夠跟隨低電平，同時(shí)可以混合白噪聲的模擬高頻腔裝置，用來(lái)測(cè)試低電平控制器的各項(xiàng)性能。詳細(xì)闡述了模擬高頻腔的設(shè)計(jì)思路與實(shí)現(xiàn)方法，并使用所設(shè)計(jì)的模擬高頻腔與LLRF鏈接、測(cè)試，證明了該模擬高頻腔可以測(cè)試工作在不同頻率下的LLRF，測(cè)試其幅相穩(wěn)定性及其閉環(huán)控制能力。所設(shè)計(jì)的模擬高頻腔對(duì)高頻系統(tǒng)的集成、調(diào)試具有巨大的現(xiàn)實(shí)意義，能夠大大提高低電平控制器的測(cè)試效率，同時(shí)也能有效避免為測(cè)試LLRF導(dǎo)致實(shí)際高頻腔受損的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)表于：10/28/2025

基于SM2的SoC安全芯片雙向身份鑒別技術(shù)研究

片上系統(tǒng) （System on Chip， SoC）芯片會(huì)針對(duì)產(chǎn)品固件進(jìn)行SM2簽名和驗(yàn)簽，以確定產(chǎn)品固件的合法性，但現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)品固件未對(duì)芯片進(jìn)行身份鑒別，由于無(wú)法確定芯片是否合法，產(chǎn)品固件和數(shù)據(jù)的安全性得不到保護(hù)?；赟M2算法，針對(duì)SoC安全芯片中產(chǎn)品固件導(dǎo)入過(guò)程，實(shí)現(xiàn)了基于國(guó)產(chǎn)密碼SM2算法的芯片鑒別固件、固件鑒別芯片的雙向身份鑒別技術(shù)。方案安全性高、可實(shí)現(xiàn)性強(qiáng)，對(duì)SoC安全芯片對(duì)引導(dǎo)程序、產(chǎn)品固件進(jìn)行雙向身份鑒別有普遍現(xiàn)實(shí)借鑒意義。所設(shè)計(jì)的SM2模塊，具有芯片面積小、電路設(shè)計(jì)難度小、CPU操作簡(jiǎn)單、適用于嵌入式SoC安全芯片等優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)表于：10/28/2025

一種基于電流比較的LDO折返式限流保護(hù)電路

針對(duì)低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器（LDO）可能出現(xiàn)的過(guò)載、短路問(wèn)題，基于180 nm BCD工藝，設(shè)計(jì)了一種基于電流比較的折返式限流保護(hù)電路。通過(guò)添加監(jiān)測(cè)信號(hào)，有效避免了折返式限流電路中容易出現(xiàn)的“閂鎖”問(wèn)題。仿真結(jié)果表明，在達(dá)到過(guò)流限時(shí)，輸出電流減小至200 mA，輸出電壓減小約400 mV后開(kāi)始折返，LDO的輸出電流和輸出電壓均下降。結(jié)果表明，該電路在完成限流保護(hù)功能的同時(shí)大大降低了系統(tǒng)過(guò)流狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。

發(fā)表于：10/28/2025

一種寬輸入低紋波電荷泵負(fù)壓電源芯片設(shè)計(jì)

為解決電感型電源芯片電磁干擾嚴(yán)重和電容型電源芯片輸出紋波過(guò)大的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種電容型電源芯片。該芯片采用無(wú)電感結(jié)構(gòu)，在高頻條件下輸出紋波低于1 mV，接近電感型電源芯片。芯片輸出電壓可在-16 V至-3 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，工作頻率可在90 kHz到1 MHz間改變。該電路基于250 nm工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明，在輸入電壓為16 V、輸出電流為100 mA、工作頻率為1 MHz的條件下，輸出紋波為0.6 mV，輸出電壓為-14.84 V，效率達(dá)到87.1%；當(dāng)工作頻率降至90 kHz時(shí)，輸出紋波為10 mV，輸出電壓為-14.83 V，效率提升至91.9%。仿真數(shù)據(jù)表明，該芯片具有良好的適應(yīng)性，可滿(mǎn)足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

發(fā)表于：10/28/2025