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消息称三星SK 海力士已启动芯片浸没式液冷兼容测试
發(fā)表于：2024/6/28 上午8:48:00
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三星否认3nm晶圆代工厂出现生产缺陷
發(fā)表于：2024/6/26 下午4:27:35
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消息称三星3nm项目总投资超过1160亿美元
發(fā)表于：2024/6/25 上午8:30:45
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美国对中国半导体制裁下韩国设备最杯具
發(fā)表于：2024/6/25 上午8:30:43
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三星美国得州芯片工厂推迟至2026年投产
發(fā)表于：2024/6/24 上午8:35:29
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三星联手联发科完成基于vRAN的5G RedCap技术测试
發(fā)表于：2024/6/24 上午8:35:24
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三星SK海力士都将在新一代HBM中采用混合键合技术
發(fā)表于：2024/6/24 上午8:35:14
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三星Exynos 2500 3nm良率仅20%
發(fā)表于：2024/6/24 上午8:35:00
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三星因3nm良率太低痛失谷歌高通订单
發(fā)表于：2024/6/19 上午8:30:43
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HBM订单2025年已预订一空
發(fā)表于：2024/6/19 上午8:30:35
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三星宣布与Synposys合作优化2nm芯片
發(fā)表于：2024/6/18 上午8:38:50
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2024上半年中国可折叠OLED面板出货量将首次超越韩国三星
發(fā)表于：2024/6/18 上午8:38:34
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浅析HBM五大关键门槛
發(fā)表于：2024/6/18 上午8:38:25
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三星公布引领AI时代半导体技术路线图
發(fā)表于：2024/6/14 上午8:55:22
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三星祭出交钥匙代工服务 加速AI芯片生产
發(fā)表于：2024/6/14 上午8:55:01
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中芯国际冲到全球前三：仅次于台积电三星
發(fā)表于：2024/6/13 上午8:59:20
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美国芯片制造业迎来历史性投资，狂砸资金新建工厂
發(fā)表于：2024/6/13 上午8:59:20
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三星公布芯片技术路线图
發(fā)表于：2024/6/13 上午8:59:00
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消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
發(fā)表于：2024/6/12 上午8:59:45
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三星16层及以上HBM需采用混合键合技术
發(fā)表于：2024/6/12 上午8:59:27
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三星被曝挖来苹果Siri资深高管领导北美AI团队
發(fā)表于：2024/6/12 上午8:59:25
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AMD与三星在3nm GAA上目前并无任何实质进展
發(fā)表于：2024/6/6 上午8:52:46
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高通：正考虑实施台积电、三星电子双源生产战略
發(fā)表于：2024/6/6 上午8:52:46
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黄仁勋确认三星HBM3e未通过英伟达认证
發(fā)表于：2024/6/5 上午8:57:20
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芯片三巨头发力CFET架构以备战埃米时代
發(fā)表于：2024/6/4 上午9:00:00
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美光HBM内存能效优异迅速成为韩厂威胁
發(fā)表于：2024/6/3 上午11:24:24
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苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程
發(fā)表于：2024/5/31 上午9:00:42
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三星1nm工艺量产计划提前至2026年
發(fā)表于：2024/5/31 上午9:00:39
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三星两名芯片工人遭受辐射：造成事故机器已停用
發(fā)表于：2024/5/31 上午9:00:25
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消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型光刻胶
發(fā)表于：2024/5/30 上午11:13:05
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