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三星 相關(guān)文章(5306篇)
三星因2nm良率過(guò)低已撤出美國(guó)泰勒廠人員
發(fā)表于:2024/9/13 8:37:35
消息稱三星電子開(kāi)啟全球裁員
發(fā)表于:2024/9/12 9:57:00
高通第五代驍龍8將迎來(lái)雙代工廠
發(fā)表于:2024/9/12 9:17:57
兩名前三星員工涉嫌泄露價(jià)值32億美元商業(yè)機(jī)密被捕
發(fā)表于:2024/9/12 8:50:18
三星與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)無(wú)緩沖HBM4 AI芯片
發(fā)表于:2024/9/9 10:18:38
高通確認(rèn)其芯片用于三星與谷歌合作開(kāi)發(fā)的XR眼鏡
發(fā)表于:2024/9/9 8:50:30
全球2納米芯片代工三強(qiáng)勝負(fù)初現(xiàn)
發(fā)表于:2024/9/6 10:44:55
2024年上半年三星SK海力士在華營(yíng)收增長(zhǎng)超過(guò)100%
發(fā)表于:2024/9/6 8:23:03
消息稱三星1b nm移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳
發(fā)表于:2024/9/5 10:21:50
三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發(fā)表于:2024/9/5 8:50:11
2024年二季度全球晶圓代工市場(chǎng)營(yíng)收排名公布
發(fā)表于:2024/9/3 9:59:36
曝三星因Exynos 2500難產(chǎn)Galaxy S25全系將標(biāo)配驍龍8 Gen4
發(fā)表于:2024/9/3 9:39:50
三星官宣車用LPDDR4X已通過(guò)驗(yàn)證
發(fā)表于:2024/8/28 11:39:42
三星解散先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)組
發(fā)表于:2024/8/27 18:59:00
三星開(kāi)發(fā)全新低功耗OLED面板
發(fā)表于:2024/8/26 23:22:11
消息稱三星將削減High-NA EUV光刻機(jī)采購(gòu)規(guī)模
發(fā)表于:2024/8/20 11:28:00
三星顯示展示圓形White OLEDoS顯示面板樣品
發(fā)表于:2024/8/20 8:50:02
三星HBM押注下一代存儲(chǔ)技術(shù)CXL
發(fā)表于:2024/8/20 8:33:01
2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)24.8%
發(fā)表于:2024/8/16 8:50:50
三星被曝最快2024年底前開(kāi)始安裝首臺(tái)ASML High-NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于:2024/8/16 8:35:53
消息稱三星電子正內(nèi)部自研XR設(shè)備專用芯片
發(fā)表于:2024/8/15 10:39:28
HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營(yíng)收前四
發(fā)表于:2024/8/14 9:25:00
三星二季度晶圓代工業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)虧損3000億韓元
發(fā)表于:2024/8/12 10:50:21
三星聯(lián)手高通開(kāi)發(fā)XR專用芯片
發(fā)表于:2024/8/9 10:58:39
曝三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年可能虧損數(shù)萬(wàn)億韓元
發(fā)表于:2024/8/8 10:41:15
三星被控在微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域侵犯哈佛專利
發(fā)表于:2024/8/7 11:12:07
傳中企囤積三星HBM芯片以應(yīng)對(duì)美出口管制
發(fā)表于:2024/8/7 9:15:00
消息稱三星8層HBM3E存儲(chǔ)芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于:2024/8/7 8:50:00
消息稱三星電子與Naver將在Mach-1后實(shí)質(zhì)結(jié)束AI芯片合作
發(fā)表于:2024/8/6 10:05:00
三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝
發(fā)表于:2024/8/6 8:23:00
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活動(dòng)
《集成電路應(yīng)用》雜志征稿啟事
【熱門活動(dòng)】2025年基礎(chǔ)電子測(cè)試測(cè)量方案培訓(xùn)
【技術(shù)沙龍】可信數(shù)據(jù)空間構(gòu)建“安全合規(guī)的數(shù)據(jù)高速公路”
【下載】5G及更多無(wú)線技術(shù)應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)案例
【通知】2025第三屆電子系統(tǒng)工程大會(huì)調(diào)整時(shí)間的通知
熱點(diǎn)專題
技術(shù)專欄
2023進(jìn)階電子測(cè)試測(cè)量?jī)x器系列培訓(xùn)第十一講上:矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的原理與操作
2023進(jìn)階電子測(cè)試測(cè)量?jī)x器系列培訓(xùn)第十講下:數(shù)字源表的應(yīng)用與選型
2023進(jìn)階電子測(cè)試測(cè)量?jī)x器系列培訓(xùn)第十講:數(shù)字源表的原理與操作
免費(fèi)送書|好書推薦第七彈——《CTF實(shí)戰(zhàn):技術(shù)、解題與進(jìn)階》
盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)Cortex-M內(nèi)核MCU廠商高主頻產(chǎn)品(2023版)
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特權(quán)同學(xué)新書《勇敢的芯伴你玩轉(zhuǎn)Altera FPGA》電子版 下載 (FPGA初學(xué)者首選)
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基于雙軸激光掃描的煤倉(cāng)物位深度檢測(cè)系統(tǒng)
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基于SIMD并行的量子切分模擬加速優(yōu)化
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基于FMEA的多電力設(shè)備故障預(yù)測(cè)維護(hù)算法
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