頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規(guī)范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 一種低電壓應力的三電平PFC電路研究 三電平及多電平電路具有更小的直流側電壓脈動和降低電路損耗的優(yōu)點，并且能使直流側電流波形更接近正弦化，因此提出一種基于四開關三電平PFC電路。利用四個開關管進行組合，使其具有多向開關功能，不僅能將輸出電壓抬升至三電平，降低開關管電壓應力，還能為電感充電提供回路。同時該電路在每個模態(tài)最多兩個開關管開通并共用一個脈沖信號，一定意義上簡化了控制復雜度。最后，通過搭建一個額定功率為800 W的實驗平臺，驗證理論分析正確性。 發(fā)表于：1/22/2025 基于級聯型二階廣義積分器的單相鎖相環(huán)設計 由于當前電網中不可避免地存在著各種直流偏置和高次諧波，而傳統的基于二階廣義積分器結構（Second-order Generalized Integrator，SOGI）的單相鎖相環(huán)（Phase-Locked Loop，PLL）存在對直流偏置敏感及對高次諧波的濾除能力不足等問題，針對該問題提出了一種級聯型二階廣義積分器結構。該結構由三個SOGI模塊級聯構成，通過前兩級SOGI模塊分別濾除高次諧波和直流分量，再經過第三級SOGI模塊輸出一對正交分量。通過MATLAB/Simulink建模仿真及實驗平臺驗證，結果顯示文中所提出的級聯型SOGI-PLL具有不錯的抗直流偏置干擾能力及諧波抑制效果，對單相系統并網的實現具有良好的借鑒意義。 發(fā)表于：1/22/2025 【回顧與展望】Melexis：創(chuàng)新產品助力汽車工業(yè)發(fā)展 【編者按】2024年，生成式AI持續(xù)席卷全球、電動汽車市場份額不斷擴大、工業(yè)設備電氣化進程正在加速、零碳社會有序推進…… 在2025年，半導體產業(yè)面臨哪些新的挑戰(zhàn)和機遇？哪些領域有望獲得高速增長？供應鏈會有哪些變化？半導體廠商重點投入在哪些領域？日前，Melexis中國戰(zhàn)略副總裁Dieter Verstreken介紹了Melexis對于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。 發(fā)表于：1/22/2025 【回顧與展望】納芯微：車規(guī)產品布局全面 全球化初具規(guī)模 【回顧與展望】納芯微：車規(guī)產品布局全面 全球化初具規(guī)模 發(fā)表于：1/22/2025 【回顧與展望】英飛凌：低碳化和數字化是未來的關鍵驅動力 2024年，大模型技術的迅猛發(fā)展引領了生成式AI的浪潮，算力需求激增。同時，氣候變化帶來的全球低碳化趨勢對行業(yè)產生了深遠影響，電動汽車、新能源等市場也經歷快速增長。這一趨勢也對半導體行業(yè)提出了更高要求，推動其不斷創(chuàng)新和提升。在2025年，半導體市場能否繼續(xù)保持增長態(tài)勢？哪些細分領域更值得期待？日前，英飛凌公司通過問答形式介紹了英飛凌對于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。 發(fā)表于：1/22/2025 【回顧與展望】德州儀器：模擬芯片版圖擴至AI 2024年，半導體市場在AI、消費電子、汽車電子、工業(yè)自動化等領域的推動下，實現了顯著復蘇和快速增長，在2025年，半導體市場能否繼續(xù)保持增長態(tài)勢，汽車半導體、工業(yè)自動化等哪些細分領域更值得期待？日前，德州儀器對本站記者介紹了該公司對于的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。 發(fā)表于：1/22/2025 【回顧與展望】瑞薩電子：持續(xù)投入研發(fā)以穿越半導體周期 2024年，半導體市場在AI、數據中心、消費電子和汽車電子等領域的推動下，實現了顯著復蘇和快速增長，但各個細分行業(yè)發(fā)展并不均衡…… 在2025年，半導體市場能否全面繼續(xù)保持增長態(tài)勢，汽車半導體、工業(yè)基礎設施、消費電子等哪些細分領域更值得期待？日前，瑞薩電子全球銷售與市場副總裁、瑞薩電子中國總裁賴長青介紹了瑞薩電子對于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。 發(fā)表于：1/22/2025 中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功 1 月 22 日消息，功率器件是實現電能變換和控制的核心，被譽為電力電子系統的心臟，是最為基礎、最為廣泛應用的器件之一。 中國科學院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊等開展合作，共同研制出首款國產高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統，已搭乘天舟八號貨運飛船并成功通過太空第一階段驗證并實現其在電源系統中的在軌應用。案，牽引空間電源系統的升級換代。 發(fā)表于：1/22/2025 消息稱Arm計劃將授權許可費用漲價至高300% 1 月 21 日消息，據外媒 Sammobile 報道，Arm 正準備大幅度提高授權許可的費用（最高漲價 300%），此舉將對三星 Exynos 芯片未來發(fā)展造成嚴重影響。 發(fā)表于：1/22/2025 三星HBM3內存首次通過AMD MI300X中實現商用 1月21日消息，研究機構 TechInsights今天表示，其揭示了三星HBM3內存的首個商用實例，該內存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights稱，三星于2023年8月宣布HBM3內存面世，其在商用產品中的部署對內存制造商和AI芯片制造商來說都是一個重要的里程碑。 據了解，MI300X擁有最多8個XCD核心，304組CU單元，8組HBM3核心，顯存容量提升到了192GB，，同時HBM內存帶寬高達5.2TB/s，Infinity Fabric總線帶寬也有896GB/s。 發(fā)表于：1/22/2025 ?…80818283848586878889…?
