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英特爾更新晶圓代工路線圖

4月30日訊，當(dāng)?shù)貢r間周二，英特爾舉辦晶圓代工業(yè)務(wù)Direct Connect大會。新任CEO陳立武在上千名產(chǎn)業(yè)鏈客戶面前，承諾公司將繼續(xù)在代工業(yè)務(wù)上發(fā)力。英特爾也在周二公開最新的工藝制程路線圖。

發(fā)表于：4/30/2025

恩智浦稱其業(yè)績將受關(guān)稅影響現(xiàn)任CEO即將退休

當(dāng)?shù)貢r間4月28日美股盤后，歐洲車汽車芯片大廠恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）公布了2025年第一季（截至2025年3月30日為止）財報，由于汽車、工業(yè)及物聯(lián)等市場需求均出現(xiàn)了下滑，導(dǎo)致恩智浦整體業(yè)績也出現(xiàn)了下滑。具體來說，恩智浦一季度營收為28.35億美元，同比和環(huán)比均下滑了9%，但仍略高于分析師預(yù)期的28.3億美元；依照一般公認(rèn)會計原則（GAAP）毛利率為 55.0%，GAAP 營業(yè)利潤率為 25.5%，GAAP每股收益為1.92 美元。非依照一般公認(rèn)會計原則（Non-GAAP）營業(yè)利潤為9.04億美元，同比下滑16%，環(huán)比下滑15%；Non-GAAP毛利率為56.1%，同比下滑2.1個百分點，環(huán)比下滑1.4個百分點；Non-GAAP每股收益為2.64美元，同比減少19%，環(huán)比減少17%，但仍略高于分析師預(yù)期的2.6美元。

發(fā)表于：4/30/2025

歐盟《芯片法案》所設(shè)2030年微芯片市占翻倍目標(biāo)難以實現(xiàn)

4 月 29 日消息，歐洲審計院 ECA 當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其最新報告，歐盟在 2022 年版《芯片法案》中設(shè)定的到 2030 年將歐盟在全球微芯片市場中的份額提升到 20%（即 2022 年的 9.8% 的約兩倍）的目標(biāo)難以實現(xiàn)。

發(fā)表于：4/29/2025

IBM宣布5年1500億美元投資推動量子計算機等美國制造

4 月 28 日消息，IBM 今日宣布，未來五年將在美國投資 1500 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 1.09 萬億元人民幣），助力經(jīng)濟增長，并進(jìn)一步鞏固其在全球計算領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此次投資中，超過 300 億美元（現(xiàn)匯率約合 2187.07 億元人民幣）將用于研發(fā)，推動大型主機和量子計算機在美國本土的持續(xù)制造。

發(fā)表于：4/29/2025

除和碩外的全部臺系電子代工廠啟動美國制造

4月29日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，電子代工大廠英業(yè)達(dá)也宣布加入了“美國制造”行列。而在此之前，鴻海、廣達(dá)、緯創(chuàng)、緯穎、仁寶等臺系電子代工大廠均已投入“美國制造”，隨著英業(yè)達(dá)也宣布在德克薩斯州建廠，臺系主要電子代工廠當(dāng)中，僅剩和碩未有宣布在美國布局。 4月28日，英業(yè)達(dá)董事會批準(zhǔn)，擬斥資上限8,500萬美元，在美國德克薩斯州設(shè)立服務(wù)器制造基地。此舉有望降低特朗普政府關(guān)稅戰(zhàn)干擾，助力后續(xù)營運。

發(fā)表于：4/29/2025

三星計劃三年內(nèi)量產(chǎn)V-DRAM

4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報導(dǎo)，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍(lán)圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級差距”的地位。

發(fā)表于：4/29/2025

中國臺灣出臺新規(guī)：限制臺積電最先進(jìn)工藝技術(shù)出口！

4月28日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進(jìn)工藝技術(shù)出口和半導(dǎo)體對外投資的控制。新的產(chǎn)創(chuàng)條例第22條已經(jīng)獲得了正式通過，針對臺積電赴美投資將執(zhí)行“N-1”技術(shù)限制，基本上禁止臺積電出口其最新的生產(chǎn)節(jié)點，并對違規(guī)行為進(jìn)行處罰。不過，該新規(guī)的具體實施日期尚未公布。

發(fā)表于：4/29/2025

聯(lián)電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過驗證

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營運報告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺進(jìn)展順利，預(yù)計2026年完成制程開發(fā)并通過驗證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進(jìn)展，晶圓級混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開發(fā)，未來將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

發(fā)表于：4/28/2025

SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4

4月28日消息，據(jù)wccftech報道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術(shù)論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。據(jù)SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達(dá) 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中。

發(fā)表于：4/28/2025

TechInsights：中美關(guān)稅戰(zhàn)將致2026年全球半導(dǎo)體市場萎縮34%

當(dāng)?shù)貢r間4月26日，半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) TechInsights 發(fā)表它對目前美國和中國之間持續(xù)存在的“關(guān)稅戰(zhàn)爭”對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負(fù)面影響的看法。

發(fā)表于：4/28/2025

佳能下調(diào)2025年光刻機銷量至289臺

4月24日日本股市盤后，相機及光刻機大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財報的同時，下修了2025年度的整體業(yè)績預(yù)期。佳能一季度合并營收較去年同期增長7.1%至10584億日元，合并營業(yè)利潤同比增長20.5%至965億日元，合并凈利潤同比增長20.5%至722億日元。

發(fā)表于：4/28/2025

中汽研發(fā)布《新能源汽車電安全技術(shù)年度報告（2025）》

4 月 28 日消息，中汽中心新能源檢驗中心上周發(fā)布了《新能源汽車電安全技術(shù)年度報告（2025）》（下稱《報告》）。新能源汽車以“三電”系統(tǒng)為核心，相比傳統(tǒng)燃油汽車，存在更多電安全方面的新問題新挑戰(zhàn)?！秷蟾妗分赋?，新能源汽車行業(yè)競爭加劇，部分新技術(shù)沒有得到充分驗證就量產(chǎn)上車，為行業(yè)發(fā)展留下了潛在安全風(fēng)險隱患。《報告》中還分析了我國新能源汽車發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)發(fā)展趨勢，介紹了包括“充電、電磁、功能、高壓、電池、消防”六個維度的 NESTA 電安全技術(shù)驗證體系。

發(fā)表于：4/28/2025

臺積電升級CoWoS封裝技術(shù) 目標(biāo)1000W功耗巨型芯片

4月25日消息，如今的高端計算芯片越來越龐大，臺積電也在想盡辦法應(yīng)對，如今正在深入推進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，號稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。目前，臺積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計算模塊和多個HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電公布N2 2nm缺陷率

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電A14第二代GAA工藝解讀

A14 工藝：技術(shù)亮點深度剖析1、晶體管技術(shù)升級：從 FinFET 到 GAAFET

發(fā)表于：4/27/2025