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中國(guó)科學(xué)院雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所：雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破，為 5G芯片、功率半導(dǎo)體熱管理提供技術(shù)支撐 6 月 23 日消息，近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所聯(lián)合寧波大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《Advanced Functional Materials》發(fā)表研究，提出以芳綸膜為前驅(qū)體通過(guò)高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導(dǎo)熱石墨膜，在膜厚度達(dá)到 40 微米的情況下實(shí)現(xiàn)面內(nèi)熱導(dǎo)率 Kin 達(dá)到 1754W/m·K，面外熱導(dǎo)率 Kout 突破 14.2W/m·K。與傳統(tǒng)導(dǎo)熱膜相比，雙向高導(dǎo)熱石墨膜在面內(nèi)和面外熱導(dǎo)率及缺陷控制上均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：6/23/2025

英特爾公布18A工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)

6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術(shù)與電路研討會(huì)（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)。

發(fā)表于：6/23/2025

三星被曝芯病嚴(yán)重：偽造數(shù)據(jù)、掩蓋缺陷

6 月 19 日消息，據(jù)海外科技媒體 Rest of World 報(bào)道，三星電子的芯片工程師正在流失，由于長(zhǎng)時(shí)間工作、低工資和充滿敵意的工作文化，許多芯片員工紛紛跳槽，投奔包括美國(guó)公司在內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。剩下的員工不得不長(zhǎng)時(shí)間、高強(qiáng)度地輪班工作，以彌補(bǔ)空缺。

發(fā)表于：6/23/2025

傳聯(lián)電計(jì)劃收購(gòu)彩晶南科廠以發(fā)展先進(jìn)封裝

近日市場(chǎng)傳出消息稱，晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購(gòu)瀚宇彩晶廠房。對(duì)此，聯(lián)電響應(yīng)表示，對(duì)于市場(chǎng)傳言不予評(píng)論。不過(guò)針對(duì)未來(lái)在中國(guó)臺(tái)灣產(chǎn)能規(guī)劃，聯(lián)電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進(jìn)封裝產(chǎn)能，并已將部分制程拉回中臺(tái)灣，不排除未來(lái)在臺(tái)擴(kuò)廠的可能。未來(lái)將依據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展與整體策略，搭配既有的晶圓對(duì)晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術(shù)，持續(xù)在臺(tái)灣推進(jìn)更完整的先進(jìn)封裝解決方案。聯(lián)電目前于南科設(shè)有Fab 12A廠，于2002年開(kāi)始量產(chǎn)，現(xiàn)已導(dǎo)入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出，聯(lián)電正洽談購(gòu)置Fab 12A廠對(duì)面的彩晶廠房，未來(lái)可能規(guī)劃用于發(fā)展先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

發(fā)表于：6/23/2025

美國(guó)擬撤銷對(duì)三星/SK海力士/臺(tái)積電在華晶圓廠“豁免”

美國(guó)擬撤銷對(duì)三星/SK海力士/臺(tái)積電在華晶圓廠“豁免” 6月20日，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》援引知情人士的話報(bào)道稱，負(fù)責(zé)美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）的商務(wù)部副部長(zhǎng)杰弗里·凱斯勒（Jeffrey Kessler）已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺(tái)積電等在中國(guó)大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國(guó)計(jì)劃取消允許它們?cè)谥袊?guó)使用美國(guó)技術(shù)（主要是半導(dǎo)體設(shè)備）的豁免。

發(fā)表于：6/23/2025

消息稱軟銀構(gòu)想在美國(guó)建設(shè)萬(wàn)億美元超級(jí)科技工業(yè)綜合體

6 月 20 日消息，彭博社早些時(shí)候報(bào)道稱，軟銀創(chuàng)始人孫正義構(gòu)想在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)一個(gè)價(jià)值萬(wàn)億美元的工業(yè)綜合體，覆蓋從 AI 到工業(yè)機(jī)器人的多樣化產(chǎn)業(yè)。

發(fā)表于：6/20/2025

MIT新3D半導(dǎo)體工藝探索突破摩爾定律新路徑

6 月 20 日消息，麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種低成本、可擴(kuò)展的制造技術(shù)，可將高性能氮化鎵（GaN）晶體管集成到標(biāo)準(zhǔn)硅芯片上，從而提升高頻應(yīng)用（如視頻通話、實(shí)時(shí)深度學(xué)習(xí)）的性能表現(xiàn)。

發(fā)表于：6/20/2025

零次方機(jī)器人發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)全模態(tài)具身數(shù)據(jù)全鏈路解決方案

6 月 19 日消息，據(jù)安徽日?qǐng)?bào)報(bào)道，位于安徽合肥的零次方機(jī)器人有限公司今日宣布，該企業(yè)在智能核心技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)、業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“全模態(tài)”具身數(shù)據(jù)全鏈路解決方案?！八缤诵螜C(jī)器人的‘訓(xùn)練寶典’，可系統(tǒng)解決當(dāng)前制約具身智能模型訓(xùn)練與落地的核心痛點(diǎn)，讓人形機(jī)器人訓(xùn)練與場(chǎng)景落地更快速、更便捷?！?

發(fā)表于：6/20/2025

英特爾董事稱蝕刻技術(shù)將取代光刻成芯片制造核心

6月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，英特爾一位董事提出，未來(lái)晶體管設(shè)計(jì)（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備（尤其是EUV光刻機(jī)）的依賴。這一觀點(diǎn)挑戰(zhàn)了當(dāng)前先進(jìn)芯片制造的核心范式。目前，ASML的極紫外（EUV）光刻機(jī)是制造高端芯片（如7nm及以下節(jié)點(diǎn)）的關(guān)鍵設(shè)備，它負(fù)責(zé)將極其微小的電路設(shè)計(jì)“打印”到硅晶圓上。然而，該董事認(rèn)為，像環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）這樣的新型設(shè)計(jì)，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術(shù)）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導(dǎo)地位。芯片制造流程始于光刻——將設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面。隨后通過(guò)沉積添加材料，并通過(guò)刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：6/20/2025

臺(tái)積電前高管蔣尚義：遺憾在位時(shí)沒(méi)能打敗英特爾！

6月19日消息，近日，鴻海董事、前臺(tái)積電首席運(yùn)營(yíng)官蔣尚義，在一場(chǎng)高峰對(duì)話中分享了他對(duì)臺(tái)積電發(fā)展的回顧與展望。他表示自己在產(chǎn)業(yè)工作50年，最遺憾的是沒(méi)有打敗英特爾，不過(guò)他從臺(tái)積電退休后，臺(tái)積電很快就做到了，他幽默地說(shuō)，“早知道就晚兩年退休了”。蔣尚義回憶稱，臺(tái)積電在2000年前并不出名，技術(shù)甚至落后同業(yè)2.5代，自1997年起他在臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)，臺(tái)積電逐漸崛起，成為全球知名的半導(dǎo)體代工巨頭。

發(fā)表于：6/20/2025

電路板打樣完整指南：從零開(kāi)始輕松搞懂PCB生產(chǎn)全流程

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品高速迭代的浪潮中，電路板打樣是連接設(shè)計(jì)理念與實(shí)體硬件的關(guān)鍵橋梁。對(duì)于每一位電子工程師和采購(gòu)負(fù)責(zé)人而言，深入理解其背后的生產(chǎn)流程，不僅是確保產(chǎn)品質(zhì)量的基礎(chǔ)，更是優(yōu)化設(shè)計(jì)、控制成本與縮短研發(fā)周期的核心能力。

發(fā)表于：6/20/2025

我國(guó)成功研發(fā)蚊子大小仿生機(jī)器人

快科技6月19日消息，據(jù)媒體報(bào)道，國(guó)防科技大學(xué)成功研發(fā)出一種僅有蚊子大小的仿生機(jī)器人。這一微型裝置是生物特性與尖端科技深度融合的結(jié)晶。

發(fā)表于：6/20/2025

臺(tái)積電“全球擴(kuò)產(chǎn)”也與臺(tái)灣“缺電”有關(guān)

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電近年來(lái)持續(xù)在美日德擴(kuò)產(chǎn)，雖然一方面是為了各地政府及客戶對(duì)于半導(dǎo)體本地化制造的需求，但另一方面也也與中國(guó)臺(tái)灣島內(nèi)“缺電”有關(guān)。

發(fā)表于：6/20/2025

德州儀器宣布投資超600億美元在美國(guó)新設(shè)和擴(kuò)大7座晶圓廠產(chǎn)能

發(fā)表于：6/19/2025

年底將大規(guī)模量產(chǎn) Intel 18A更多技術(shù)細(xì)節(jié)曝光

今年4月29日，在2025英特爾代工大會(huì)（Intel Foundry Direct Connect）上，英特爾正式公布了其最新一代的Intel 18A制程的相關(guān)信息，而2025 VLSI超大規(guī)模集成電路研討會(huì)最新披露的資料，進(jìn)一步展示了關(guān)于Intel 18A 的更多技術(shù)細(xì)節(jié)。 Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，相比此前的 FinFET 技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大飛躍，不僅改進(jìn)了柵極靜電，單位封裝的寬度更高，單位封裝的寄生電容也更小，靈活性也更高。

發(fā)表于：6/19/2025