EDA與制造相關(guān)文章 臺積電美國廠完成首批4nm晶圓生產(chǎn)并送往臺灣進(jìn)行封裝 6月17日消息，據(jù)臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達(dá)（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達(dá)到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺灣進(jìn)行封裝。 據(jù)了解，這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達(dá)Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺灣的臺積電的先進(jìn)封裝廠利用 CoWoS 技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。 發(fā)表于：6/18/2025 免費(fèi)PCB打樣平臺有哪些 在硬件開發(fā)的浪潮中，PCB（印刷電路板）作為電子設(shè)備的核心組件，其設(shè)計與制造環(huán)節(jié)至關(guān)重要。為了降低開發(fā)成本、加速產(chǎn)品迭代，越來越多的PCB制造商開始提供免費(fèi)打樣服務(wù)。這一趨勢不僅為電子工程師和中小企業(yè)提供了極大的便利，也推動了整個電子制造業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。本文將深入探討免費(fèi)PCB打樣的起源、目的以及當(dāng)前提供免費(fèi)打樣服務(wù)的廠家。 發(fā)表于：6/18/2025 外交部回應(yīng)中國臺灣將華為和中芯國際列入“黑名單” 6月17日，外交部發(fā)言人郭嘉昆主持例行記者會。有記者提問，有報道稱，臺灣當(dāng)局迫于美國的壓力，已將華為和中芯國際（SMIC）列入臺灣版的實(shí)體名單。中方對此有何回應(yīng)？ 郭嘉昆表示，中方一貫反對美方將科技和經(jīng)貿(mào)問題政治化，泛化國家安全概念，濫用出口管制和長臂管轄，對中國進(jìn)行惡意封鎖打壓，民進(jìn)黨當(dāng)局“跪美媚美”，只會害臺毀臺。 發(fā)表于：6/18/2025 華為四芯片封裝技術(shù)新專利曝光 6月16日消息，據(jù)Tomshardware報道，華為近期已申請一項(xiàng)“四芯片”（quad-chiplet）封裝設(shè)計專利，可能用于下一代AI芯片昇騰910D。 發(fā)表于：6/17/2025 臺積電2nm制程良率已突破60% 臺積電正加快步伐向2nm芯片時代邁進(jìn)。 根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》最新報道，這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%，不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻，更顯著領(lǐng)先競爭對手三星的40%良率水平，顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。 發(fā)表于：6/17/2025 SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購 6 月 16 日消息，韓國媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r間本月 12 日報道稱，在 HBM 市場處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購節(jié)奏，暫緩新技術(shù)應(yīng)用。 發(fā)表于：6/17/2025 臺積電美國工廠已為蘋果等制造出首批芯片晶圓 消息稱臺積電美國亞利桑那州工廠迎來里程碑：已為蘋果等制造出首批芯片晶圓 發(fā)表于：6/17/2025 Cadence與三星晶圓代工就SF2P等制程達(dá)成新多年期IP協(xié)議 6 月 17 日消息，半導(dǎo)體IP 大廠 Cadence 楷登電子當(dāng)?shù)貢r間 16 日宣布擴(kuò)大同三星晶圓代工 (Samsung Foundry) 的合作。雙方簽署了新的多年期協(xié)議，Cadence 的一系列內(nèi)存和接口 IP 將被引入到三星的 SF4X、SF5A 和 SF2P 等制程節(jié)點(diǎn)中。 發(fā)表于：6/17/2025 美國逼迫越南制造脫鉤中國科技 6月16日消息，據(jù)路透社援引三位知情人士透露，美國在與越南的關(guān)稅談判中向其施壓，要求越南降低在當(dāng)?shù)亟M裝、出口至美國的產(chǎn)品中使用中國技術(shù)的比例。 1682277245-yue.jpg 在今年4月初，美國總統(tǒng)特朗普在白宮簽署關(guān)于所謂“對等關(guān)稅”的行政令，宣布對部分國家和地區(qū)加征對等關(guān)稅，其中對越南等進(jìn)口商品加征了46%的關(guān)稅，比當(dāng)時宣布對中國大陸加征的34%關(guān)稅還要高。 發(fā)表于：6/17/2025 HBM未來開發(fā)路線圖揭曉 6月16日消息，據(jù)Tom’s hardware報道，韓國領(lǐng)先的國家研究機(jī)構(gòu) KAIST 近日發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細(xì)介紹了從目前到2038年間，高帶寬內(nèi)存 （HBM） 技術(shù)的演變，展示了HBM在帶寬、容量、I/O寬度和散熱方面的增加。路線圖涵蓋從HBM4到 HBM8的階段，在封裝、3D 堆疊、具有嵌入式 NAND 存儲的以內(nèi)存為中心的架構(gòu)，甚至還包括基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗方面的研究。 發(fā)表于：6/17/2025 ASML EUV光刻路線還能走多遠(yuǎn)？ 雖然近期臺積電高管表示，臺積電接下來的A16/A14制程都不會采用ASML售價高達(dá)4億美元的High NA EUV光刻機(jī)（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行量產(chǎn)。 與此同時，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時間才成功推動標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)的規(guī)模商用。 而作為急需在EUV光刻機(jī)上進(jìn)行突破的中國，則將目光瞄向了基于直線電子加速器的自由電子激光技術(shù)的EUV光源（EUV-FEL）技術(shù)。 發(fā)表于：6/16/2025 臺積電與三星激戰(zhàn)2nm 6月16日消息，據(jù)“韓國前鋒報”報導(dǎo)，臺積電和三星電子目標(biāo)都是在今年下半年量產(chǎn)2nm制程芯片，兩大半導(dǎo)體廠的搶單大戰(zhàn)預(yù)計將更加激烈，但三星的良率持續(xù)低于臺積電，成為吸引訂單的挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：6/16/2025 中國臺灣將華為及中芯國際列入出口管制名單 6月15日消息，據(jù)彭博社報道，中國臺灣已將華為技術(shù)有限公司和中芯國際列入了出口管制黑名單，這對此前已經(jīng)被美國列入實(shí)體清單的這兩家公司又造成了一定程度的打擊。 發(fā)表于：6/16/2025 美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲 6月14日消息，據(jù)外媒wccftech報道，美國DRAM芯片大廠美光已正式通知客戶，其DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品即將停產(chǎn)（EOL），未來6到9個月內(nèi)將逐步減少出貨。至此，包括三星、SK海力士和美光在內(nèi)全球前三大DRAM廠商均已退出了DDR4市場。 發(fā)表于：6/16/2025 英特爾7月將啟動新一輪裁員 6月15日消息，據(jù)外媒Oregon Live報導(dǎo)，英特爾已經(jīng)于本周向員工發(fā)出通知，將從今年7月中旬起，開始裁減位于俄勒岡州Silicon Forest園區(qū)的晶圓廠人員，首輪裁員預(yù)計將于7月底前完成，而且可能會啟動第二波裁員。 根據(jù)英特爾內(nèi)部信件，公司正針對Intel Foundry 制造事業(yè)部進(jìn)行重組，并更聚焦于工程和技術(shù)職位（例如精簡中階管理層）。雖然公司未透露具體的裁員人數(shù)，但內(nèi)部溝通中表示這是為了改善公司財務(wù)狀況所做的必要之舉。 發(fā)表于：6/16/2025 ?12345678910…?
