EDA與制造相關(guān)文章 三星计划2028年实现AI芯片全面集成硅光器件 3 月 30 日消息，据《韩国经济日报》当地时间本月 29 日报道，三星电子晶圆代工业务在本月中旬于美国举行的 OFC 2026 光纤通信会议与博览会上公布了一份硅光子学路线图，目标到 2028 年实现硅光器件与 AI芯片的全面集成。 發(fā)表于：2026/3/30 三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产 3 月 30 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 29 日报道称，三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了 236 层堆叠的第八代 V-NAND (V8 NAND) 的量产。 發(fā)表于：2026/3/30 铠侠与SK海力士突遭美国337调查 当地时间3月26日，美国国际贸易委员会（USITC）宣布，已投票决定对某些NAND和DRAM存储芯片展开调查。调查涉及的产品已在委员会的调查通知中进行了描述。 發(fā)表于：2026/3/30 日本功率半导体三巨头宣布签署合并备忘录 2026年3月27日，日本功率半导体行业迎来历史性时刻。 罗姆（Rohm）、东芝（Toshiba）与三菱电机（Mitsubishi Electric）宣布已签署备忘录（Memorandum of Understanding），三家企业计划将功率半导体业务合并，设立一家合资运营公司。 發(fā)表于：2026/3/30 存储芯片短缺 索尼存储卡暂停接单 2026年3月27日，受全球存储芯片持续供不应求、价格飙升的影响，日本科技大厂索尼公司通过官网宣布，自2026年3月27日起暂停接受来自授权经销商和索尼商店客户的CFexpress存储卡和SD存储卡订单。 發(fā)表于：2026/3/30 湖南三安金刚石方案：激光器芯片热阻较陶瓷基板降低81.1% 随着AI算力集群功耗密度持续攀升，高功率激光器热管理挑战日益突出，传统散热方案在应对高热流密度场景时逐渐接近技术极限。面对这一挑战，金刚石材料因其极致的热导率性能，成为热管理领域的重要突破方向。近期，三安光电的全资子公司湖南三安在金刚石热沉材料领域实现应用的关键跨越，其金刚石热沉衬底已在民用射频、民用雷达、激光等领域被客户采用并进入小批量出货阶段。 發(fā)表于：2026/3/30 2026 IPC电子装联大师赛圆满落幕，获奖名单揭晓 【中国上海，2026年3月27日】— 2026 IPC电子装联大师赛中国区赛事于今日圆满收官。 發(fā)表于：2026/3/27 我国半导体分立器件制造业开年利润暴增130.5% ①半导体产业快速发展带动链条行业利润增长较快； ②半导体分立器件板块的交易重心转移到了AI服务器和电力带来的通胀效应； ③涨价潮已席卷半导体各细分领域。 發(fā)表于：2026/3/27 三星展示超高容量密集封装技术 单颗芯片4TB 三星于3月27日公开了超高密度固态硬盘的最新路线图，计划在2027年推出容量高达256TB的第六代E3.S规格固态硬盘。 该产品的核心技术突破在于封装层面的跨越。三星目前的16颗裸片（Die）封装技术已趋于成熟，而新一代32颗裸片封装技术通过堆叠32颗1Tb QLC裸片，可实现单颗4TB容量的封装体，直接推动整盘容量翻倍。 路线图显示，三星超高密度固态硬盘的EDSFF规格具备更薄、更宽、更快、更密集的特点。在产品演进方面，第五代E3.S产品采用2Tb 32DP 16规格，实现128TB容量；而定于2027年问世的第六代E3.S产品将升级至2Tb 32DP 32规格，将单盘容量推向256TB。这一系列技术进步标志着三星在超高密度存储领域的持续扩张。 發(fā)表于：2026/3/27 格罗方德与Tower掀起晶圆代工行业专利战 3 月 27 日消息，格罗方德 (GF / GlobalFoundries) 美国当地时间 26 日宣布对高塔半导体 (Tower Semiconductor) 提起多项诉讼，指控后者侵犯 GF 专利，对 GF 数十年的创新成果搭便车，意图非法抢夺 GF 的业务。 發(fā)表于：2026/3/27 消息称三星Exynos 2800采用第二代2nm工艺SF2P 3 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日援引业界消息报道称，三星电子计划用于 2028 年旗舰 Galaxy 智能手机的 Exynos 2800 移动处理器有望在 2026 年内流片。 發(fā)表于：2026/3/27 马斯克TeraFab晶圆厂项目实现目标需约5万亿美元投资 3 月 26 日消息，据 Tom's Hardware 报道，尽管埃隆 · 马斯克的 TeraFab 超级晶圆厂项目已注入 200 亿美元资金 —— 该项目计划将逻辑芯片、存储芯片的制造与封装整合在同一厂区，但这笔资金仅够建造一座 7 纳米级别的逻辑芯片晶圆厂。而马斯克的最终目标，是年产数百万乃至数十亿颗 AI芯片，年耗电量达到 1 太瓦（1 TW）。据伯恩斯坦研究公司测算，这一目标远超当前行业产能，若要实现，马斯克需要投入 5 万亿美元（注：现汇率约合 34.53 万亿元人民币）。有意思的是，这一资金规模与几年前山姆 · 奥尔特曼为其夭折的晶圆厂网络计划寻求的融资额相近。 發(fā)表于：2026/3/27 拒绝电装？消息称罗姆正与三菱电机和东芝谈判 3 月 26 日消息，日本 Tier 1 汽车零部件供应商电装 DENSO 本月 24 日宣布正式向该国功率半导体企业罗姆 ROHM 递交了收购提案。而根据《日经亚洲》本地时间今日的报道，罗姆还在探索其它战略重组的选项。 發(fā)表于：2026/3/27 中芯国际2025年稳居全球纯晶圆代工第二 "中芯国际于3月26日发布2025年年度报告。报告显示，公司2025年实现营业收入673.23亿元，同比增长16.5%；归属于上市公司股东的净利润突破50亿元，同比增长36.3%；基本每股收益0.63元，同比增长37.0%。截至2025年底，公司总资产达3677.18亿元，归属于上市公司股东的净资产为1508.24亿元，继续稳居全球纯晶圆代工企业第二位。\n\n在运营方面，中芯国际稳步实施产能扩建，折合8英寸月产能规模已超过100万片，产能利用率提升至93.5%，同比增加8个百分点；毛利率增至21%，同比增加3个百分点。公司持续保持高研发投入，2025年研发金额接近53.5亿元，占销售收入的8.3%。此外，中芯国际正实质性推进中芯北方少数股权收购及中芯南方增资扩股等项目。" 發(fā)表于：2026/3/27 2028年中国成熟制程产能全球占比将达42% 3月25日，由国际半导体设备与材料协会 (SEMI) 主办的全球最大半导体行业展会Semicon China 2026在上海开幕，多位业界高层指出，AI需求的爆发式增长正引发大规模的资本支出与产能扩张，同时也让全球半导体供应链面临前所未有的压力。 發(fā)表于：2026/3/27 <12345678910…>
