EDA與制造相關(guān)文章 傳三星拿下英偉達(dá)明年SOCAMM2半數(shù)訂單 12月3日消息，根據(jù)韓國媒體hankyung報(bào)導(dǎo)，三星電子已成功取得英偉達(dá)明年第二代SOCAMM（System on CAMM，SOCAMM 2）的超過50%的供應(yīng)訂單。 發(fā)表于：12/4/2025 藍(lán)箭航天朱雀三號(hào)重復(fù)使用運(yùn)載火箭一級(jí)回收失敗 12 月 3 日消息，今日中國民營企業(yè)藍(lán)箭航天自主研發(fā)的朱雀三號(hào)運(yùn)載火箭成功實(shí)現(xiàn)首飛入軌，但一級(jí)火箭回收任務(wù)未能成功。 發(fā)表于：12/3/2025 歐盟計(jì)劃投資27億歐元擺脫對(duì)中國關(guān)鍵原材料依賴 12月2日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，歐盟計(jì)劃在未來2026-2027年間承諾投資至少27億歐元，以協(xié)助擺脫對(duì)外部稀土等關(guān)鍵原材料的依賴，這些原材料對(duì)許多現(xiàn)代技術(shù)和軍事裝備至關(guān)重要。 發(fā)表于：12/3/2025 臺(tái)積電2nm制程泄密案進(jìn)展 追加起訴東京電子 12月3日消息，據(jù)多家媒體報(bào)道，臺(tái)灣檢方日前正式對(duì)日本半導(dǎo)體設(shè)備巨頭東京電子（Tokyo Electron Limited）的臺(tái)灣子公司提起公訴，指控其在一起商業(yè)機(jī)密竊取案中存在管理疏失，未能采取充分措施防止員工涉嫌竊取臺(tái)積電（TSMC）的技術(shù)秘密。 發(fā)表于：12/3/2025 三星考慮削減HBM3E產(chǎn)能 并擴(kuò)產(chǎn)DRAM 12 月 2 日消息，韓媒 DealSite 昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子考慮將支撐其 HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)的 1a nm DRAM 產(chǎn)能削減 30~40%，通過制程轉(zhuǎn)換提升適用于通用內(nèi)存產(chǎn)品的 1b nm 產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)利潤的最大化。 發(fā)表于：12/3/2025 英特爾14A制程預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利 12 月 3 日消息，Moor Insights & Strategy 分析師 Patrick Moorhead 昨日透露，英特爾正在開發(fā)的 14A 制程節(jié)點(diǎn)已獲得兩家潛在代工客戶的正面反饋。 發(fā)表于：12/3/2025 英特爾持續(xù)投資強(qiáng)化半導(dǎo)體封測(cè)布局 12月2日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，馬來西亞總理安瓦爾·易卜拉欣（Anwar Ibrahim）的說法，英特爾公司宣布將額外對(duì)其位于馬來西亞的先進(jìn)封測(cè)廠投資8.6億令吉（約合2.08億美元），進(jìn)一步z馬來西亞打造為其全球封裝與測(cè)試業(yè)務(wù)的中心。此舉彰顯了英特爾對(duì)馬來西亞長期投資的高度信心，并強(qiáng)化了馬來西亞在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中不可或缺的地位。 發(fā)表于：12/3/2025 2026年全球半導(dǎo)體營收將逼近1萬億美元大關(guān) 12月2日消息，根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）最新發(fā)布的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，2025年全球半導(dǎo)體營收將同比增長22.5%至7720億美元，2026年將再度增長26.3%至9750億美元，逼近1萬億美元大關(guān)。 發(fā)表于：12/3/2025 臺(tái)積電攜手世芯和Ayar Labs推封裝內(nèi)光學(xué)I/O構(gòu)架 12月2日消息，臺(tái)積電此前在歐洲OIP 論壇公布了一項(xiàng)重大技術(shù)展示，世芯（Alchip）與Ayar Labs 聯(lián)手推出一款完全整合的封裝內(nèi)光學(xué)I/O 引擎，這項(xiàng)解決方案采用臺(tái)積電的Compact Universal Photonic Engine（COUPE）平臺(tái)，為下一代AI芯片帶來了革命性的光學(xué)連接能力。 發(fā)表于：12/3/2025 三星新型FeFET 3D NAND功耗暴降96% 12月2日消息，三星電子旗下先進(jìn)技術(shù)研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）的研究團(tuán)隊(duì)近日在國際權(quán)威期刊《Nature》上發(fā)表了題為《用于低功耗NAND Flash的鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管》（Ferroelectric transistors for low-power NAND flash memory）的研究報(bào)告，提出基于鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FeFET）的新型3D NAND構(gòu)架，成功將能耗降低高達(dá)96%。 發(fā)表于：12/3/2025 芯原NPU IP VIP9000NanoOi-FS獲ISO 26262 ASIL B認(rèn)證 2025年12月2日，中國上?！驹煞荩ㄐ驹善贝a：688521.SH）今日宣布其神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器IP VIP9000NanoOi-FS已成功通過ISO 26262 ASIL B級(jí)汽車功能安全認(rèn)證，標(biāo)志著公司在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器功能安全領(lǐng)域的重要進(jìn)展。 發(fā)表于：12/2/2025 中國選手再奪全球桂冠——株洲中車時(shí)代電氣楊艷榮獲2025 IPC手工焊接全球總決賽冠軍 【中國上海，2025年12月2日】— 全球電子協(xié)會(huì)（Global Electronics Association）舉辦的2025 IPC手工焊接全球總決賽近日于德國慕尼黑電子生產(chǎn)設(shè)備展（productronica） 期間圓滿落幕。來自中國中車集團(tuán)旗下株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司的楊艷，憑借穩(wěn)定扎實(shí)的操作、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓に嚭妥吭降漠a(chǎn)品質(zhì)量，從全球12個(gè)國家、15名區(qū)域冠軍中脫穎而出，以 871 分的高分（滿分為 887 分）斬獲IPC手工焊接全球總決賽冠軍，再次展示“中國制造”深厚的工匠實(shí)力與技術(shù)底蘊(yùn)。 發(fā)表于：12/2/2025 英偉達(dá)確認(rèn)獨(dú)占臺(tái)積電尖端A16制程 12月2日消息，據(jù)報(bào)道，NVIDIA已確認(rèn)成為臺(tái)積電A16制程節(jié)點(diǎn)的首位，也是目前唯一客戶。此制程預(yù)計(jì)將于2026年下半年量產(chǎn)，并將應(yīng)用于NVIDIA計(jì)劃在2028年推出的Feynman系列GPU。 發(fā)表于：12/2/2025 重整光刻技術(shù) 美政府入股xLight 12月2日訊，特朗普政府已同意向一家試圖在美國開發(fā)更先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的初創(chuàng)公司注資最多1.5億美元，這是政府利用激勵(lì)措施支持具有戰(zhàn)略重要性的國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的最新舉措。xLight是一家試圖改進(jìn)被稱為極紫外光刻（EUV）的關(guān)鍵芯片制造工藝的初創(chuàng)公司。 發(fā)表于：12/2/2025 英特爾攜手安靠在韓國部署EMIB先進(jìn)封裝產(chǎn)能 12月2日消息，據(jù)韓國媒體Etnews報(bào)導(dǎo)，為人工智能熱潮所帶來的旺盛的先進(jìn)封裝需求，英特爾近期宣布了一項(xiàng)重大策略性決定，將其面向人工智能（AI）的半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)部署于韓國仁川松島的安靠科技（Amkor Technology Korea）K5 工廠。這一舉動(dòng)代表著英特爾首次將其核心的先進(jìn)封裝技術(shù)委外合作，并選擇韓國做為強(qiáng)化其先進(jìn)封裝供應(yīng)鏈的關(guān)鍵戰(zhàn)略基地。 發(fā)表于：12/2/2025 ?12345678910…?
