EDA與制造相關(guān)文章 英特爾公布18A工藝節(jié)點技術(shù)細節(jié) 6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術(shù)與電路研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點技術(shù)細節(jié)。 發(fā)表于：6/23/2025 美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed將申請破產(chǎn)重組 6 月 23 日消息，美國北卡羅來納州的電動汽車半導(dǎo)體制造商 Wolfspeed 宣布，已與債權(quán)人達成協(xié)議，作為破產(chǎn)重組計劃的一部分，將其近 65 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 466.76 億元人民幣）的債務(wù)削減 70%。 發(fā)表于：6/23/2025 傳聯(lián)電計劃收購彩晶南科廠以發(fā)展先進封裝 近日市場傳出消息稱，晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購瀚宇彩晶廠房。對此，聯(lián)電響應(yīng)表示，對于市場傳言不予評論。不過針對未來在中國臺灣產(chǎn)能規(guī)劃，聯(lián)電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進封裝產(chǎn)能，并已將部分制程拉回中臺灣，不排除未來在臺擴廠的可能。 未來將依據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展與整體策略，搭配既有的晶圓對晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術(shù)，持續(xù)在臺灣推進更完整的先進封裝解決方案。 聯(lián)電目前于南科設(shè)有Fab 12A廠，于2002年開始量產(chǎn)，現(xiàn)已導(dǎo)入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出，聯(lián)電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房，未來可能規(guī)劃用于發(fā)展先進封裝產(chǎn)能。 發(fā)表于：6/23/2025 美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 6月20日，據(jù)《華爾街日報》援引知情人士的話報道稱，負責美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）的商務(wù)部副部長杰弗里·凱斯勒 （Jeffrey Kessler） 已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國計劃取消允許它們在中國使用美國技術(shù)（主要是半導(dǎo)體設(shè)備）的豁免。 發(fā)表于：6/23/2025 消息稱軟銀構(gòu)想在美國建設(shè)萬億美元超級科技工業(yè)綜合體 6 月 20 日消息，彭博社早些時候報道稱，軟銀創(chuàng)始人孫正義構(gòu)想在美國亞利桑那州建設(shè)一個價值萬億美元的工業(yè)綜合體，覆蓋從 AI 到工業(yè)機器人的多樣化產(chǎn)業(yè)。 發(fā)表于：6/20/2025 消息稱三星緊急開會檢討為何錯失谷歌Tensor訂單 6 月 19 日消息，谷歌計劃在今年晚些時候推出旗艦手機 Pixel 10 系列，屆時將首次采用由臺積電量產(chǎn)的 Tensor G5 芯片，而非像往常一樣由三星代工。這款芯片基于臺積電第二代 3nm 制程“N3E”節(jié)點，并采用 InFO-POP 封裝。 發(fā)表于：6/20/2025 中國礦機三巨頭赴美設(shè)廠 6月19日消息，據(jù)路透社報道，全球前三大比特幣和加密貨幣礦機制造商比特大陸、嘉楠耘智和比特微電子為規(guī)避美國關(guān)稅政策影響，都計劃在美國設(shè)立制造工廠并建立供應(yīng)鏈。 “礦機”市場持續(xù)增長，中國廠商占據(jù)壟斷地位 隨著近年來加密貨幣市場的持續(xù)增長，以及具有代表性的比特幣價格突破10萬美元，市場對于虛擬貨幣礦機的需求也是非常的旺盛。根據(jù)分析師的預(yù)測，到 2028 年，礦機行業(yè)的價值將達到 120 億美元。 發(fā)表于：6/20/2025 英特爾董事稱蝕刻技術(shù)將取代光刻成芯片制造核心 6月20日消息，據(jù)媒體報道，英特爾一位董事提出，未來晶體管設(shè)計（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對先進光刻設(shè)備（尤其是EUV光刻機）的依賴。這一觀點挑戰(zhàn)了當前先進芯片制造的核心范式。 目前，ASML的極紫外（EUV）光刻機是制造高端芯片（如7nm及以下節(jié)點）的關(guān)鍵設(shè)備，它負責將極其微小的電路設(shè)計“打印”到硅晶圓上。 然而，該董事認為，像環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）和互補場效應(yīng)晶體管（CFET）這樣的新型設(shè)計，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術(shù)）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導(dǎo)地位。 芯片制造流程始于光刻——將設(shè)計圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結(jié)構(gòu)。 發(fā)表于：6/20/2025 臺積電前高管蔣尚義：遺憾在位時沒能打敗英特爾！ 6月19日消息，近日，鴻海董事、前臺積電首席運營官蔣尚義，在一場高峰對話中分享了他對臺積電發(fā)展的回顧與展望。 他表示自己在產(chǎn)業(yè)工作50年，最遺憾的是沒有打敗英特爾，不過他從臺積電退休后，臺積電很快就做到了，他幽默地說，“早知道就晚兩年退休了”。 蔣尚義回憶稱，臺積電在2000年前并不出名，技術(shù)甚至落后同業(yè)2.5代，自1997年起他在臺積電負責研發(fā)，臺積電逐漸崛起，成為全球知名的半導(dǎo)體代工巨頭。 發(fā)表于：6/20/2025 電路板打樣完整指南：從零開始輕松搞懂PCB生產(chǎn)全流程 在現(xiàn)代電子產(chǎn)品高速迭代的浪潮中，電路板打樣是連接設(shè)計理念與實體硬件的關(guān)鍵橋梁。對于每一位電子工程師和采購負責人而言，深入理解其背后的生產(chǎn)流程，不僅是確保產(chǎn)品質(zhì)量的基礎(chǔ)，更是優(yōu)化設(shè)計、控制成本與縮短研發(fā)周期的核心能力。 發(fā)表于：6/20/2025 臺積電“全球擴產(chǎn)”也與臺灣“缺電”有關(guān) 據(jù)臺媒報道，晶圓代工龍頭大廠臺積電近年來持續(xù)在美日德擴產(chǎn)，雖然一方面是為了各地政府及客戶對于半導(dǎo)體本地化制造的需求，但另一方面也也與中國臺灣島內(nèi)“缺電”有關(guān)。 發(fā)表于：6/20/2025 德州儀器宣布投資超600億美元在美國新設(shè)和擴大7座晶圓廠產(chǎn)能 德州儀器宣布投資超600億美元在美國新設(shè)和擴大7座晶圓廠產(chǎn)能 發(fā)表于：6/19/2025 年底將大規(guī)模量產(chǎn) Intel 18A更多技術(shù)細節(jié)曝光 今年4月29日，在2025英特爾代工大會（Intel Foundry Direct Connect）上，英特爾正式公布了其最新一代的Intel 18A制程的相關(guān)信息，而2025 VLSI超大規(guī)模集成電路研討會最新披露的資料，進一步展示了關(guān)于Intel 18A 的更多技術(shù)細節(jié)。 Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，相比此前的 FinFET 技術(shù)實現(xiàn)重大飛躍，不僅改進了柵極靜電，單位封裝的寬度更高，單位封裝的寄生電容也更小，靈活性也更高。 發(fā)表于：6/19/2025 臺系半導(dǎo)體廠商發(fā)力面板級封裝 6月18日消息，扇出型面板級封裝（FOPLP）被譽為下一代先進封裝的重要方向，除了英特爾、三星等海外晶圓大廠，中國臺灣島內(nèi)的晶圓代工大廠臺積電、半導(dǎo)體封測大廠日月光、內(nèi)存封測龍頭力成等都在積極布局，希望爭奪英偉達、AMD等大廠的HPC/AI芯片的先進封裝商機。 發(fā)表于：6/18/2025 消息稱英特爾下月全球裁員超萬人 6 月 18 日消息，科技媒體 oregonlive 昨日（6 月 17 日）發(fā)布博文，報道稱英特爾公司計劃在全球范圍內(nèi)裁減最高 20% 的工廠員工，這一舉措將對其核心制造業(yè)務(wù)造成深遠影響。 英特爾制造業(yè)務(wù)副總裁納加?錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）表示，裁員的目的，是應(yīng)對成本挑戰(zhàn)和當前財務(wù)狀況，預(yù)計削減比例為 15%-20%，主要在 7 月實施。 發(fā)表于：6/18/2025 ?12345678910…?
